第三代半导体技术是否能够成为中国半导体产业的新突破口？

  功率半导体是电能转换及电路控制核心，市场规模大且中国为最大消费国。2022年全球功率半导体市场规模达481亿美元，预计至2024年将增长至522亿美元，年复合增长率约为5.46%，增长平稳。

中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了约40%的功率半导体市场。

国内2022年市场规模为191亿美元，预计至2024年市场规模有望达到206亿美元。

MOSFET和IGBT是全球市场主流应用，下游需求强劲。MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力产品。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。

我国IGBT需求结构与全球市场不同，新能源汽车、消费电子和工控是IGBT需求占比最大的下游领域，市占率分别为31%、27%和20%。

我国IGBT在新能源汽车、新能源发电等领域应用占比远超全球平均水平，受益于国家“双碳”战略。行业需求旺盛、下游IGBT用量大幅增加。成为国内IGBT需求增长的主要驱动力。

IGBT等功率器件是新能源发电逆变器实现逆变功能的核心，主要应用在DC/DC升压、DC/AC逆变电路中。这也是IGBT市场强劲的驱动力，增速将持续远超全球平均水平。